產(chǎn)品名稱：NAPSON納普森電阻率薄層電阻測量系統(tǒng)

產(chǎn)品特性和功能

多點多點測量

非接觸式非接觸式

電腦和軟件

全自動全自動型

非接觸式渦流法。 測量無損壞

• 適用于硅晶圓、GaP 和 InP 等化合物半導(dǎo)體的生產(chǎn)控制
• 電阻測量儀
  ，種類繁多，有多種類型的非接觸式探頭（探頭數(shù)量和探頭類型可根據(jù)要求更改）
• 從 8 mm 的邊緣進行多點測量
• 測量模式可編程和 2-D/3-D 映射軟件
• 配備一個盒式工作站，提高工作效率（測量后存放在同一槽中）

※可選：配備額外的晶圓厚度測量探頭

測量規(guī)格

測量目標

• 半導(dǎo)體和太陽能電池材料（硅、多晶硅、碳化硅等）
• 化合物半導(dǎo)體（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）

目標大小

3~8寸

測量范圍

[電阻率] 1m~200Ω·cm （*所有探頭類型的總量程/500um厚度）
[片狀電阻] 10m~3kΩ/sq （*所有探頭類型的總量程）
[厚度] 150~1,200μm

*每種探頭類型的測量范圍請參考以下內(nèi)容。
（1）低：0.01~0.5Ω/□（0.001~0.05Ω·cm）
（2）中：0.5~10Ω/□（0.05~0.5Ω·cm）
（3）高：10~1,000Ω/□（0.5~60Ω·cm）
（4）S-高：1,000~3,000Ω/ □（60~200Ω·cm）